溅射靶材最新视觉报道_溅射靶材四大金刚(2024年11月全程跟踪)
国内两家做半导体溅射靶材的,一个有研新材,一个江丰电子,江丰电子是龙头,质地比有研新材好。 我预期江丰电子还会异动,可关注
《高纯溅射靶材国产替代加速!半导体关键材料,龙头厂商梳理》播放量:553 作者:乐晴智库网页链接
【从小器件到大市场——IC China 2024侧记】 从溅射靶材到设备零部件,从IC测试分选机到封装设备,从小小的元器件到广阔的应用市场……在第二十一届中国国际半导体博览会(IC China 2024)的展览现场,观众可通过一日游历芯片一生的足迹。相较往年,今年的IC China更像是中国半导体行业交出的一份年度“成绩单”:材料、设备、封装,各项环节的参与更加深入,成果有目共睹。网页链接
⧴⩝𖦝的奥秘:从基础到应用 靶材,也被称为溅射靶材,是溅射镀膜过程中被溅射的物质。溅射是一种材料沉积方法,通过加速带电粒子(离子)撞击靶材表面,将靶材表面的原子或分子“剥离”出来,然后将其沉积到衬底表面,形成薄膜。靶材的选择和质量对薄膜的性能有着至关重要的影响。 젩𖦝的制备方法多种多样,包括熔炼和铸造、粉末冶金、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、电化学沉积以及粉末冶金-热压等。这些方法的选择取决于靶材的材质、组分以及所需的性能。 靶材在许多工业中得到了广泛的应用,特别是在半导体集成电路、记录介质以及工件表面涂层等领域。随着电子工业和信息技术的发展,靶材在电子、信息、航空航天等领域的应用也在不断增加。
$光智科技 sz300489$:拟购买PVD溅射靶材公司先导电科100%股份,今天继续20%涨停一字32.81元。
靶材结瘤问题的产生原因及改善措施 「中诺新材」「溅射靶材」「靶材结瘤」 靶材结瘤是靶材表面持续受到Ar+轰击以及被溅射原子再沉积的多重作用而发生复杂的物理化学变化,靶材结瘤毒化后,靶材的溅射速率降低,打弧频率增加,膜层均一性变差,此时就必须停机清理靶材表面或更换靶材,这将严重降低沉积膜层的质量和生产效率。 靶材结瘤的原因: 1.长时间的溅射过程会使靶材表面局部过热。当靶材的某些区域温度过高时,就容易引发材料的聚集和结晶,从而逐渐形成结瘤。 2.杂质的存在也是一个重要因素。如果溅射环境中存在杂质颗粒,它们可能会附着在靶材表面,随着时间的推移,这些杂质不断积累,最终形成结瘤。 3.不合理的工艺参数设置。例如,过高的溅射功率、不恰当的气体压力等都可能使靶材表面的能量分布不均匀,增加结瘤的风险。 靶材结瘤的危害: 一方面它会严重影响镀膜的均匀性。结瘤区域的溅射速率与其他区域不同,导致薄膜厚度不均匀,从而影响产品的性能和外观。另一方面,结瘤可能会在溅射过程中脱落,成为颗粒污染,降低薄膜的质量。而且,结瘤还会缩短靶材的使用寿命,增加生产成本。 靶材结瘤的改善措施: 定期对靶材进行清理和维护是非常必要的。可以使用适当的工具和方法,将靶材表面的结瘤去除,恢复靶材的平整表面。采用旋转靶等技术可以使靶材表面受热均匀,减少局部过热的情况,从而降低结瘤的发生概率。优化工艺参数也是关键。合理调整溅射功率、气体压力等参数,使溅射过程更加稳定,减少能量分布不均匀的情况。加强对溅射环境的清洁度控制,防止杂质进入系统,也能有效减少结瘤的形成。
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